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JFET单结晶体管缓冲区偏差计算器

发布时间:2020-09-10 16:22:11来源:作者:点击数:

JFET单结晶体管缓冲区偏差计算器
一款JFET缓冲区(共漏放大器)是很有用的,因为与晶体三极管相比它具有非常高的输入阻抗。

JFET单结晶体管缓冲区偏差计算器

N沟道场效应管缓冲区偏差
VDD (V)
VRS (V)
Vp 或 VGS(off) 截止电压 (V)
IDSS 零栅电压漏极电流 (mA)
结果:

IDS (mA)
RS (Ω)
VGS (V)

公式:

IDS= IDSS(1-VGS/Vp)2

RS= VRS/IDS

VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。